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VMO650-01F |
Y3-DCB | IXYS | 询价QQ： |
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VMO650-01F参数 产品类别：半导体模块-FET 说明：MOSFET N-CH 100V 690A MODULE 包装数量：2 包装形式：散装 PDF资料下载： FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：690A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.8 毫欧 @ 500mA，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）：6V @ 130mA 闸电荷(Qg) @ Vgs：2300nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds：59000pF @ 25V 功率 - 最大：2500W 安装类型：底座安装 |
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热门型号： 端子 - 环形2-322010-4 多芯导线3463SL002 薄膜电容器150563J630FC TVS - 二极管1.5SMC36C 测试引线 - 跳线9862-24BLK 矩形M3CCK-3018J PMIC - 监控MAX6387XS44D6 T 接线座 - 隔板块325241-23-0 矩形- 接头，公引929838-02-07 嵌入式 - 微控制MC9S08DV16ACLF |
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